maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / GB01SLT12-220
Référence fabricant | GB01SLT12-220 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GB01SLT12-220 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GB01SLT12-220 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 1A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | 69pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GB01SLT12-220 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GB01SLT12-220-FT |
GB02SLT12-252
GeneSiC Semiconductor
GB10SLT12-252
GeneSiC Semiconductor
MBRH20045R
GeneSiC Semiconductor
MBRH20045
GeneSiC Semiconductor
MBRH12040R
GeneSiC Semiconductor
MBRH120100
GeneSiC Semiconductor
MBRH120100R
GeneSiC Semiconductor
MBRH120150
GeneSiC Semiconductor
MBRH120150R
GeneSiC Semiconductor
MBRH12020
GeneSiC Semiconductor
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation