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Référence fabricant | GB10SLT12-252 |
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Numéro de pièce future | FT-GB10SLT12-252 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GB10SLT12-252 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2V @ 10A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | 520pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GB10SLT12-252 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GB10SLT12-252-FT |
IDDD16G65C6XTMA1
Infineon Technologies
IDDD20G65C6XTMA1
Infineon Technologies
IDW40E65D2FKSA1
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IDW15E65D2FKSA1
Infineon Technologies
IDW40G65C5XKSA1
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IDW75E60FKSA1
Infineon Technologies
IDW16G65C5XKSA1
Infineon Technologies
IDW40E65D1FKSA1
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IDW100E60FKSA1
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IDW30E65D1FKSA1
Infineon Technologies
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.