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Référence fabricant | GB10SLT12-252 |
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Numéro de pièce future | FT-GB10SLT12-252 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GB10SLT12-252 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2V @ 10A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | 520pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GB10SLT12-252 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GB10SLT12-252-FT |
IDDD16G65C6XTMA1
Infineon Technologies
IDDD20G65C6XTMA1
Infineon Technologies
IDW40E65D2FKSA1
Infineon Technologies
IDW15E65D2FKSA1
Infineon Technologies
IDW40G65C5XKSA1
Infineon Technologies
IDW75E60FKSA1
Infineon Technologies
IDW16G65C5XKSA1
Infineon Technologies
IDW40E65D1FKSA1
Infineon Technologies
IDW100E60FKSA1
Infineon Technologies
IDW30E65D1FKSA1
Infineon Technologies
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XCV300E-7FG256I
Xilinx Inc.
EP20K300EBC672-2X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29I3LG
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel