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Référence fabricant | GB02SLT12-252 |
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Numéro de pièce future | FT-GB02SLT12-252 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GB02SLT12-252 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 2A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | 131pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GB02SLT12-252 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GB02SLT12-252-FT |
IDDD12G65C6XTMA1
Infineon Technologies
IDDD16G65C6XTMA1
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IDDD20G65C6XTMA1
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IDW16G65C5XKSA1
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IDW40E65D1FKSA1
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IDW100E60FKSA1
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XC6SLX100-2CSG484C
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XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
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EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
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LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel