maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FZ1200R17KF6CB2NOSA1
Référence fabricant | FZ1200R17KF6CB2NOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-FZ1200R17KF6CB2NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
FZ1200R17KF6CB2NOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | - |
Configuration | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | - |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Puissance - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | - |
Contribution | - |
Thermistance NTC | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ1200R17KF6CB2NOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FZ1200R17KF6CB2NOSA1-FT |
FS150R12PT4BOSA1
Infineon Technologies
FS150R17KE3GBOSA1
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FS15R12YT3BOMA1
Infineon Technologies
EP20K60ETC144-2
Intel
XC6SLX25T-N3FG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000L-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-FFG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FG484
Microsemi Corporation
M1AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
A54SX32A-1BGG329
Microsemi Corporation