maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FS150R12PT4BOSA1
Référence fabricant | FS150R12PT4BOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FS150R12PT4BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FS150R12PT4BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200A |
Puissance - Max | 680W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 150A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 9.35nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS150R12PT4BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FS150R12PT4BOSA1-FT |
FMG1G75US60L
ON Semiconductor
FMG2G100US60
ON Semiconductor
FMG2G150US60
ON Semiconductor
FMG2G150US60E
ON Semiconductor
FMG2G200US60
ON Semiconductor
FMG2G300LS60E
ON Semiconductor
FMG2G300US60
ON Semiconductor
FMG2G300US60E
ON Semiconductor
FMG2G400LS60
ON Semiconductor
FMG2G400US60
ON Semiconductor
A3P125-TQG144
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z2VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K1F40C2LN
Intel
5SGXMA4K3F40C2N
Intel
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30ABC356-4
Intel
EPF10K20RC208-4N
Intel