maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FS150R17N3E4B11BOSA1
Référence fabricant | FS150R17N3E4B11BOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-FS150R17N3E4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FS150R17N3E4B11BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 150A |
Puissance - Max | 835W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 150A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 13.5nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS150R17N3E4B11BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FS150R17N3E4B11BOSA1-FT |
FMG2G150US60
ON Semiconductor
FMG2G150US60E
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FMG2G200US60
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