maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FZ1200R17HP4HOSA2
Référence fabricant | FZ1200R17HP4HOSA2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FZ1200R17HP4HOSA2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FZ1200R17HP4HOSA2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench |
Configuration | Single Switch |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1200A |
Puissance - Max | 7800W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 1200A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 97nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ1200R17HP4HOSA2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FZ1200R17HP4HOSA2-FT |
FS150R12KT4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FS150R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FS150R12PT4BOSA1
Infineon Technologies
FS150R17KE3GBOSA1
Infineon Technologies
FS150R17N3E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS150R17N3E4BOSA1
Infineon Technologies
FS15R06VE3B2BOMA1
Infineon Technologies
FS15R06VL4B2BOMA1
Infineon Technologies
FS15R06XE3BOMA1
Infineon Technologies
FS15R06XL4BOMA1
Infineon Technologies