maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FZ1200R17HE4PHPSA1
Référence fabricant | FZ1200R17HE4PHPSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FZ1200R17HE4PHPSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FZ1200R17HE4PHPSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Single Switch |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1200A |
Puissance - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 1200A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 97nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ1200R17HE4PHPSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FZ1200R17HE4PHPSA1-FT |
FS150R12KT4B9BOSA1
Infineon Technologies
FS150R12KT4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FS150R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FS150R12PT4BOSA1
Infineon Technologies
FS150R17KE3GBOSA1
Infineon Technologies
FS150R17N3E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS150R17N3E4BOSA1
Infineon Technologies
FS15R06VE3B2BOMA1
Infineon Technologies
FS15R06VL4B2BOMA1
Infineon Technologies
FS15R06XE3BOMA1
Infineon Technologies
XCV300E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C25U256C6
Intel
5AGXBA7D4F27C5N
Intel
5SGXEA7K2F35I2L
Intel
AX1000-2FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF19C6N
Intel