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Référence fabricant | FR307G A0G |
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Numéro de pièce future | FT-FR307G A0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FR307G A0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 500ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FR307G A0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FR307G A0G-FT |
1N5400GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5401G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5401GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5402G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5402GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5404G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5404GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5406G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5406GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5407G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel