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Référence fabricant | 1N5406G R0G |
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Numéro de pièce future | FT-1N5406G R0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5406G R0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5406G R0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5406G R0G-FT |
SR203 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR203HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR204 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR204HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR205 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR205HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR206 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR206HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR209 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR209HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel