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1N5401G R0G Image

Taiwan Semiconductor Corporation 1N5401G R0G

Numéro de pièce MFG
1N5401G R0G
quantité disponible
31870 Pièces
Prix de référence
USD 0.080688
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Date d'expédition
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fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
Brève description
- DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Diodes - Redresseurs - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
1N5401G R0G.pdf
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1N5401G R0G Caractéristiques

Référence fabricant 1N5401G R0G
Numéro de pièce future FT-1N5401G R0G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
1N5401G R0G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) 100V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) 3A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si 1.1V @ 3A
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 5µA @ 100V
Capacité @ Vr, F 25pF @ 4V, 1MHz
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse DO-201AD, Axial
Package d'appareils du fournisseur DO-201AD
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
1N5401G R0G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange 1N5401G R0G-FT

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