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Référence fabricant | UG2DHB0G |
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Numéro de pièce future | FT-UG2DHB0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
UG2DHB0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 35pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AC, DO-15, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AC (DO-15) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG2DHB0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UG2DHB0G-FT |
FR155G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR155GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR155GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR156G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR156G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR156GHA0G
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FR156GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR157G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR157GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR157GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel