maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FQS4903TF
Référence fabricant | FQS4903TF |
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Numéro de pièce future | FT-FQS4903TF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQS4903TF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 370mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2 Ohm @ 185mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 25V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQS4903TF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQS4903TF-FT |
IPG16N10S461AATMA1
Infineon Technologies
IPG16N10S4L61AATMA1
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IPG20N04S408AATMA1
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XCKU035-2FBVA676E
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XC6SLX75-L1FGG484C
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EP4CGX75CF23I7
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XCKU5P-2SFVB784E
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5FN484C
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