maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / IPG20N06S2L50AATMA1
Référence fabricant | IPG20N06S2L50AATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPG20N06S2L50AATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPG20N06S2L50AATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 19µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 25V |
Puissance - Max | 51W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8-10 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPG20N06S2L50AATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPG20N06S2L50AATMA1-FT |
IRF7325TR
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IRF7325TRPBF
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