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Infineon Technologies IPG16N10S4L61AATMA1

Numéro de pièce MFG
IPG16N10S4L61AATMA1
quantité disponible
77190 Pièces
Prix de référence
USD 0.32724
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 8TDSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IPG16N10S4L61AATMA1.pdf
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IPG16N10S4L61AATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant IPG16N10S4L61AATMA1
Numéro de pièce future FT-IPG16N10S4L61AATMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPG16N10S4L61AATMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 61 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 90µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 845pF @ 25V
Puissance - Max 29W
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur PG-TDSON-8-10
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPG16N10S4L61AATMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IPG16N10S4L61AATMA1-FT

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