maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQP20N06
Référence fabricant | FQP20N06 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQP20N06 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQP20N06 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 53W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQP20N06 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQP20N06-FT |
FQP32N20C
ON Semiconductor
FDP085N10A-F102
ON Semiconductor
FCP380N60
ON Semiconductor
RFP12N10L
ON Semiconductor
FQP19N20C
ON Semiconductor
RFP50N06
ON Semiconductor
FQP3N60C
ON Semiconductor
FDP10N60NZ
ON Semiconductor
FDP24N40
ON Semiconductor
FQP3N80C
ON Semiconductor
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel