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ON Semiconductor FDP10N60NZ

Name: FDP10N60NZ
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDP10N60NZ
Price: 1.688 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (641 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDP10N60NZ

quantité disponible: 60400 Pièces

Prix de référence: USD 1.688

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: UniFET-II™ MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDP10N60NZ.pdf

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FDP10N60NZ Caractéristiques

Référence fabricant	FDP10N60NZ
Numéro de pièce future	FT-FDP10N60NZ
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	UniFET-II™
FDP10N60NZ Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1475pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	185W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220-3
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDP10N60NZ Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDP10N60NZ-FT

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