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ON Semiconductor FQP3N80C

Name: FQP3N80C
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQP3N80C
Price: 1.16 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (384 reviews)

Numéro de pièce MFG: FQP3N80C

quantité disponible: 93770 Pièces

Prix de référence: USD 1.16

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: QFET® MOSFET N-CH 800V 3A TO-220

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FQP3N80C.pdf

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FQP3N80C Caractéristiques

Référence fabricant	FQP3N80C
Numéro de pièce future	FT-FQP3N80C
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	QFET®
FQP3N80C Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	16.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	705pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	107W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220AB
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQP3N80C Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FQP3N80C-FT

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