maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQL40N50F
Référence fabricant | FQL40N50F |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQL40N50F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FRFET® |
FQL40N50F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 40A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7500pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 460W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-264-3 |
Paquet / caisse | TO-264-3, TO-264AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQL40N50F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQL40N50F-FT |
IPZ60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R041P6FKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R070P6FKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R099P6FKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R125P6FKSA1
Infineon Technologies
IPZ65R019C7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
BSS192PH6327FTSA1
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel