maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPZ60R125P6FKSA1
Référence fabricant | IPZ60R125P6FKSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPZ60R125P6FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ P6 |
IPZ60R125P6FKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 37.9A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 14.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.21mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3330pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 219W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO247-4 |
Paquet / caisse | TO-247-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPZ60R125P6FKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPZ60R125P6FKSA1-FT |
IPI80N04S404AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S4L04AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S207AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S208AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S2L05AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S2L11AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S3-05
Infineon Technologies
IPI80N06S3-07
Infineon Technologies
IPI80N06S3L-05
Infineon Technologies
IPI80N06S3L-08
Infineon Technologies
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel