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ON Semiconductor FQI4N80TU

Name: FQI4N80TU
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQI4N80TU
Price: 0.852112 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (405 reviews)

Numéro de pièce MFG: FQI4N80TU

quantité disponible: 38130 Pièces

Prix de référence: USD 0.852112

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: QFET® MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FQI4N80TU.pdf

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FQI4N80TU Caractéristiques

Référence fabricant	FQI4N80TU
Numéro de pièce future	FT-FQI4N80TU
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	QFET®
FQI4N80TU Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3.9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 Ohm @ 1.95A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	880pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.13W (Ta), 130W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	I2PAK (TO-262)
Paquet / caisse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQI4N80TU Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FQI4N80TU-FT

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