maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQI4N80TU
Référence fabricant | FQI4N80TU |
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Numéro de pièce future | FT-FQI4N80TU |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQI4N80TU Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.9A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 1.95A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 880pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.13W (Ta), 130W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I2PAK (TO-262) |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI4N80TU Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQI4N80TU-FT |
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