maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFH5255TR2PBF
Référence fabricant | IRFH5255TR2PBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRFH5255TR2PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFH5255TR2PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15A (Ta), 51A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 988pF @ 13V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.6W (Ta), 26W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-PQFN (5x6) |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5255TR2PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFH5255TR2PBF-FT |
IPW60R280P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R330P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R019C7FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R048CFDAFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW65R150CFDAFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW65R190CFDAFKSA1
Infineon Technologies
IPSA70R950CEAKMA1
Infineon Technologies
IPS80R1K2P7AKMA1
Infineon Technologies