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Infineon Technologies IPS80R1K2P7AKMA1

Name: IPS80R1K2P7AKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPS80R1K2P7AKMA1
Price: 0.976 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (280 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPS80R1K2P7AKMA1

quantité disponible: 82820 Pièces

Prix de référence: USD 0.976

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: CoolMOS™ P7 MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPS80R1K2P7AKMA1.pdf

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IPS80R1K2P7AKMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IPS80R1K2P7AKMA1
Numéro de pièce future	FT-IPS80R1K2P7AKMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	CoolMOS™ P7
IPS80R1K2P7AKMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 80µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 500V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	37W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO251-3
Paquet / caisse	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPS80R1K2P7AKMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPS80R1K2P7AKMA1-FT

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