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Référence fabricant | IRFH5207TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRFH5207TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFH5207TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 75V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 13A (Ta), 71A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 43A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2474pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.6W (Ta), 105W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-PQFN (5x6) |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5207TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFH5207TRPBF-FT |
IPW60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099CPAFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099P6XKSA1
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IPW60R120C7XKSA1
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IPW60R190P6FKSA1
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IPW60R230P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R280P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R330P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R019C7FKSA1
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel