maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQI3N25TU
Référence fabricant | FQI3N25TU |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQI3N25TU |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQI3N25TU Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 250V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.8A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 1.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.13W (Ta), 45W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I2PAK (TO-262) |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI3N25TU Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQI3N25TU-FT |
IRFH5010TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5015TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5025TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5025TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5106TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5106TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5110TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5110TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5206TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5206TRPBF
Infineon Technologies
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel