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Référence fabricant | IRFH5110TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRFH5110TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFH5110TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11A (Ta), 63A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4 mOhm @ 37A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3152pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.6W (Ta), 114W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-PQFN (5x6) |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5110TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFH5110TRPBF-FT |
AUIRFP4310Z
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