maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPW60R045CPAFKSA1
Référence fabricant | IPW60R045CPAFKSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPW60R045CPAFKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
IPW60R045CPAFKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 60A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 44A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 431W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO247-3 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R045CPAFKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPW60R045CPAFKSA1-FT |
IPI25N06S3L-22
Infineon Technologies
IPI26CN10N G
Infineon Technologies
IPI26CNE8N G
Infineon Technologies
IPI320N20N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI35CN10N G
Infineon Technologies
IPI45N06S3-16
Infineon Technologies
IPI45N06S3L-13
Infineon Technologies
IPI45N06S409AKSA1
Infineon Technologies
IPI45N06S4L08AKSA1
Infineon Technologies
IPI45P03P4L11AKSA1
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel