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Infineon Technologies IRFH5110TR2PBF

Name: IRFH5110TR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5110TR2PBF
Availability: InStock
Rating: 4.8 (695 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRFH5110TR2PBF

quantité disponible: 34540 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRFH5110TR2PBF.pdf

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IRFH5110TR2PBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRFH5110TR2PBF
Numéro de pièce future	FT-IRFH5110TR2PBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRFH5110TR2PBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	11A (Ta), 63A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.4 mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3152pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.6W (Ta), 114W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-PQFN (5x6)
Paquet / caisse	8-PowerVDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH5110TR2PBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRFH5110TR2PBF-FT

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