maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQI34P10TU
Référence fabricant | FQI34P10TU |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQI34P10TU |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQI34P10TU Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 33.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 16.75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2910pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.75W (Ta), 155W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I2PAK (TO-262) |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI34P10TU Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQI34P10TU-FT |
IRFH5010TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5010TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5015TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5025TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5025TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5106TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5106TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5110TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5110TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5206TR2PBF
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel