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ON Semiconductor FQI27N25TU-F085

Name: FQI27N25TU-F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQI27N25TU-F085
Availability: InStock
Rating: 4.6 (274 reviews)

Numéro de pièce MFG: FQI27N25TU-F085

quantité disponible: 76770 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FQI27N25TU-F085.pdf

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FQI27N25TU-F085 Caractéristiques

Référence fabricant	FQI27N25TU-F085
Numéro de pièce future	FT-FQI27N25TU-F085
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
FQI27N25TU-F085 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	25.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 12.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.13W (Ta), 417W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	I2PAK (TO-262)
Paquet / caisse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQI27N25TU-F085 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FQI27N25TU-F085-FT

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