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Infineon Technologies IRLH5030TRPBF

Name: IRLH5030TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLH5030TRPBF
Price: 1.323248 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (408 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRLH5030TRPBF

quantité disponible: 73820 Pièces

Prix de référence: USD 1.323248

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRLH5030TRPBF.pdf

IRLH5030TRPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRLH5030TRPBF
Numéro de pièce future	FT-IRLH5030TRPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRLH5030TRPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	13A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 150µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	94nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5185pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.6W (Ta), 156W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-PQFN (5x6)
Paquet / caisse	8-PowerVDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLH5030TRPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRLH5030TRPBF-FT

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