maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FMS6G10US60
Référence fabricant | FMS6G10US60 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FMS6G10US60 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FMS6G10US60 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | - |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 10A |
Puissance - Max | 66W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 250µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 0.71nF @ 30V |
Contribution | Three Phase Bridge Rectifier |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | 25PM-AA |
Package d'appareils du fournisseur | 25PM-AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FMS6G10US60 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FMS6G10US60-FT |
FF200R12KE4PHOSA1
Infineon Technologies
FF200R12KS4HOSA1
Infineon Technologies
FF200R12KS4PHOSA1
Infineon Technologies
FF200R12KT3EHOSA1
Infineon Technologies
FF200R12KT3HOSA1
Infineon Technologies
FF200R12MT4BOMA1
Infineon Technologies
FF200R17KE3S4HOSA1
Infineon Technologies
FF200R17KE4HOSA1
Infineon Technologies
FF200R33KF2CNOSA1
Infineon Technologies
FF225R12ME3BOSA1
Infineon Technologies
XC6SLX150-3FG900C
Xilinx Inc.
A54SX72A-CQ256
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8
Intel
5SGXMA3E1H29C2LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQG160
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ100
Microsemi Corporation
EP3SL50F780I3
Intel