maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FF200R12KE4PHOSA1
Référence fabricant | FF200R12KE4PHOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FF200R12KE4PHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
FF200R12KE4PHOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200A |
Puissance - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF200R12KE4PHOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FF200R12KE4PHOSA1-FT |
F1235R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies
F3L100R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
F3L100R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
F3L150R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L15R12W2H3B27BOMA1
Infineon Technologies
F3L200R12N2H3B47BPSA1
Infineon Technologies
F3L200R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L200R12W2H3PB11BPSA1
Infineon Technologies
F3L225R07W2H3PB63BPSA1
Infineon Technologies
LFEC6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-3FG484C
Xilinx Inc.
APA600-FG256
Microsemi Corporation
EP20K1000CF672C8ES
Intel
5SGXEA5N2F40C2N
Intel
EP2AGX125DF25C6N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81188ARC240-2
Intel