maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FF200R12KS4PHOSA1
Référence fabricant | FF200R12KS4PHOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FF200R12KS4PHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FF200R12KS4PHOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 275A |
Puissance - Max | 1400W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 200A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 13nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF200R12KS4PHOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FF200R12KS4PHOSA1-FT |
F3L100R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
F3L150R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L15R12W2H3B27BOMA1
Infineon Technologies
F3L200R12N2H3B47BPSA1
Infineon Technologies
F3L200R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L200R12W2H3PB11BPSA1
Infineon Technologies
F3L225R07W2H3PB63BPSA1
Infineon Technologies
F3L25R12W1T4B27BOMA1
Infineon Technologies
F3L300R07PE4BOSA1
Infineon Technologies
A1425A-1PQG100I
Microsemi Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P125-PQG208I
Microsemi Corporation
MPF500T-FCG1152E
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
EP4SGX290NF45I3N
Intel
XC7K70T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS150F780C7N
Intel