maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / FMG9AT148
Référence fabricant | FMG9AT148 |
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Numéro de pièce future | FT-FMG9AT148 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FMG9AT148 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-74A, SOT-753 |
Package d'appareils du fournisseur | SMT5 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FMG9AT148 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FMG9AT148-FT |
RN2703JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2704JE(TE85L,F)
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Microsemi Corporation
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XC7A12T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
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EP2AGX125EF29I5ES
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EP4SGX360HF35C2N
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