maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / RN2707JE(TE85L,F)
Référence fabricant | RN2707JE(TE85L,F) |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RN2707JE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN2707JE(TE85L,F) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 100mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-553 |
Package d'appareils du fournisseur | ESV |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2707JE(TE85L,F) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN2707JE(TE85L,F)-FT |
IMH5AT108
Rohm Semiconductor
IMH6AT108
Rohm Semiconductor
NUS2401SNT1
ON Semiconductor
PBLS4001D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS4002D,115
Nexperia USA Inc.
PIMC31F
Nexperia USA Inc.
PIMD3F
Nexperia USA Inc.
RN1963(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1965(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1968(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
EP1K10TC144-3N
Intel
A42MX36-CQ208B
Microsemi Corporation
A3PE600-1FGG484I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3EQC
Microchip Technology
5SGXMA7K3F35C2LN
Intel
5SGXMA4H2F35C3N
Intel
LCMXO2-2000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5G
Intel
EP2A70F1508C8
Intel