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Toshiba Semiconductor and Storage RN2710JE(TE85L,F)
- Numéro de pièce MFG
- RN2710JE(TE85L,F)
- quantité disponible
- 23500 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.07056
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Brève description
- - TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- RN2710JE(TE85L,F).pdf
RN2710JE(TE85L,F) Caractéristiques
| Référence fabricant | RN2710JE(TE85L,F) |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-RN2710JE(TE85L,F) |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| RN2710JE(TE85L,F) Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
| Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
| Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
| Fréquence - Transition | 200MHz |
| Puissance - Max | 100mW |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | SOT-553 |
| Package d'appareils du fournisseur | ESV |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RN2710JE(TE85L,F) Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | RN2710JE(TE85L,F)-FT |
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