maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / FMA2AT148
Référence fabricant | FMA2AT148 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FMA2AT148 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FMA2AT148 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-74A, SOT-753 |
Package d'appareils du fournisseur | SMT5 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FMA2AT148 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FMA2AT148-FT |
RN2705JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2707JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2708JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2710JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1706JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2706JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1509(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1510(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2502(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2506(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC3S50-4PQ208C
Xilinx Inc.
A42MX36-1BGG272M
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGSED6K3F40I4N
Intel
5SGXEA4H2F35I2LN
Intel
LFE2M70SE-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81188AQC240-4
Intel