maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / FMA1AT148
Référence fabricant | FMA1AT148 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FMA1AT148 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FMA1AT148 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 22 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 22 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-74A, SOT-753 |
Package d'appareils du fournisseur | SMT5 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FMA1AT148 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FMA1AT148-FT |
RN2704JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2705JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2707JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2708JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2710JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1706JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2706JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1509(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1510(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2502(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2VP50-5FF1517C
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FGG456C
Xilinx Inc.
APA600-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C3
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
A1010B-PLG44C
Microsemi Corporation
XC4028EX-2HQ208C
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation