maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FJ3303010L
Référence fabricant | FJ3303010L |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FJ3303010L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FJ3303010L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 12pF @ 3V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 100mW (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SSSMini3-F2-B |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJ3303010L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FJ3303010L-FT |
SSM3J14TTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J304T(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J306T(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J307T(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J321T(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J325F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K7002BF,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K7002BS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K7002KF,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TN0200K-T1-E3
Vishay Siliconix
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel