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Référence fabricant | TN0200K-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-TN0200K-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
TN0200K-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 50µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 350mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN0200K-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TN0200K-T1-E3-FT |
BSS84PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS84PL6433HTMA1
Infineon Technologies
BSS84_D87Z
ON Semiconductor
FDN336P-NL
ON Semiconductor
FDN338P_G
ON Semiconductor
FDN339AN_G
ON Semiconductor
FDN361AN
ON Semiconductor
FDN371N
ON Semiconductor
FDN372S
ON Semiconductor
FDN5618P_G
ON Semiconductor
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel