maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FF650R17IE4BOSA1
Référence fabricant | FF650R17IE4BOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FF650R17IE4BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FF650R17IE4BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | 2 Independent |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Puissance - Max | 4150W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 650A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF650R17IE4BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FF650R17IE4BOSA1-FT |
FF1200R12IE5PBPSA1
Infineon Technologies
FF1200R17IP5BPSA1
Infineon Technologies
FF1200R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
FF1200R17KP4B2NOSA2
Infineon Technologies
FF1400R12IP4BOSA1
Infineon Technologies
FF1400R17IP4BOSA1
Infineon Technologies
FF1500R12IE5BPSA1
Infineon Technologies
FF1500R12IE5PBPSA1
Infineon Technologies
FF1500R17IP5BPSA1
Infineon Technologies
FF1500R17IP5PBPSA1
Infineon Technologies
XC2S150-6FGG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-3BG272I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
XC2VP40-7FFG1152C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8
Intel
EP4CE75F29I7
Intel
EP3C25F324C8N
Intel
EP1K100QI208-2N
Intel