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Référence fabricant | FF600R12ME4CBOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-FF600R12ME4CBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FF600R12ME4CBOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1060A |
Puissance - Max | 4050W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 600A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 3mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 37nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF600R12ME4CBOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FF600R12ME4CBOSA1-FT |
MWI150-12T8T
IXYS
MWI200-06A8
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MWI60-12T6K
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MWI75-06A7
IXYS
EP20K160ETC144-2
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XCV200E-7FG256C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
MPF100T-FCG484E
Microsemi Corporation
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA5K1F40C1N
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XCKU040-2SFVA784E
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F484C
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LFE2-6E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8Q208C7
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