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Référence fabricant | FES8JT-E3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-FES8JT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FES8JT-E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FES8JT-E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FES8JT-E3/45-FT |
VT3045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT2045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR10100-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETL0806-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH3007THN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW29-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR10100-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETH03-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel