maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BYW29-200-E3/45
Référence fabricant | BYW29-200-E3/45 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BYW29-200-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYW29-200-E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYW29-200-E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYW29-200-E3/45-FT |
SB060-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EBU04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-150EBU04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-150EBU02
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-100BGQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EBU02
Vishay Semiconductor Diodes Division
70EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division
85EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-100BGQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-100BGQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel