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Référence fabricant | VS-ETH3007THN3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-ETH3007THN3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
VS-ETH3007THN3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.1V @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 37ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 30µA @ 650V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-ETH3007THN3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-ETH3007THN3-FT |
SB060-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB060-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EBU04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-150EBU04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-150EBU02
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-100BGQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EBU02
Vishay Semiconductor Diodes Division
70EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division
85EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-100BGQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation