maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / FES8BT-7005HE3/45
Référence fabricant | FES8BT-7005HE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-FES8BT-7005HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
FES8BT-7005HE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 85pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FES8BT-7005HE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FES8BT-7005HE3/45-FT |
VS-15ETU12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETX06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU0805-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DTV56L-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF10-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel