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Référence fabricant | VS-10ETF10-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-10ETF10-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-10ETF10-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.33V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 310ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETF10-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-10ETF10-M3-FT |
V3PAN50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAB-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PABHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PADHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PAB-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PABHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel