maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FDZ2553NZ
Référence fabricant | FDZ2553NZ |
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Numéro de pièce future | FT-FDZ2553NZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDZ2553NZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 9.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1240pF @ 10V |
Puissance - Max | 2.1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 18-WFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 18-BGA (2.5x4) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDZ2553NZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDZ2553NZ-FT |
APTM120DSK57T3G
Microsemi Corporation
APTM120DU29TG
Microsemi Corporation
APTM120H57FT3G
Microsemi Corporation
APTM120H57FTG
Microsemi Corporation
APTM120VDA57T3G
Microsemi Corporation
APTM20AM05FTG
Microsemi Corporation
APTM20DHM08G
Microsemi Corporation
APTM20DHM10G
Microsemi Corporation
APTM20DHM16T3G
Microsemi Corporation
APTM20DHM16TG
Microsemi Corporation
EP1C6T144C6
Intel
M2GL025T-1VFG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10CX220YU484E6G
Intel
EP4CE22E22C7
Intel
5SGSMD8N3F45I4N
Intel
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-1N
Intel