maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FDW2508PB
Référence fabricant | FDW2508PB |
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Numéro de pièce future | FT-FDW2508PB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDW2508PB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3775pF @ 6V |
Puissance - Max | 1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDW2508PB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDW2508PB-FT |
BSL806NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL806NL6327HTSA1
Infineon Technologies
ZXMC3AMCTA
Diodes Incorporated
ZXMN2AM832TA
Diodes Incorporated
ZXMN3AM832TA
Diodes Incorporated
SI6913DQ-T1-GE3
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IRF7509TRPBF
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SI6926ADQ-T1-GE3
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IRF7503TRPBF
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LCMXO640C-4TN100C
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XC7A100T-3FTG256E
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M1AFS1500-2FG484
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EP4S100G3F45I2
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LFEC33E-4F484I
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LCMXO2-4000ZE-2FTG256I
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LCMXO2-2000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N3F40I2SG
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